Модуль памяти GoodRAM GR1600D364L11S/4G
11 970 тг
Нет в наличии
Дополнительно
Емкость микросхем
4 Гбит
Напряжение питания
1.5 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 4 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC3-12800
Низкопрофильный модуль: нет
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
tRAS: 28
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11-28
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Расположение чипов: одностороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 4 Гбит
Тип микросхем: 512Mx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 4 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC3-12800
Низкопрофильный модуль: нет
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
tRAS: 28
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11-28
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Расположение чипов: одностороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 4 Гбит
Тип микросхем: 512Mx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Дополнительно | |
Емкость микросхем | 4 Гбит |
Напряжение питания | 1.5 В |
Подсветка элементов платы | нет |
Профили AMP | нет |
Профили XMP | нет |
Радиатор | нет |
Расположение чипов | одностороннее |
Тип микросхем | 512Mx8 |
Число микросхем | 8 |
Общие характеристики | |
PC-индекс | PC3-12800 |
Буферизованная (Registered) | нет |
Количество контактов | 240 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Назначение | для системного блока |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Низкопрофильный модуль | нет |
Общий объем | 4 Гб |
Объем одного модуля | 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Тип | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM |
Тайминги | |
CAS Latency | 11T |
CL | 11 |
tRAS | 28 |
tRCD | 11 |
tRP | 11 |
Тайминги | 11-11-11-28 |
Написать отзыв
Нет отзывов о данном товаре.