Модуль памяти GoodRAM GR2666S464L19S/4G
10 303 тг
Нет в наличии
Дополнительно
Напряжение питания
1.2 В
Общие характеристики
Количество модулей в комплекте
1
Объем одного модуля
4 Гб
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 4 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 4 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Общие характеристики | |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем одного модуля | 4 Гб |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Тип | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM |
Написать отзыв
Нет отзывов о данном товаре.