Жесткий диск Samsung MZ-V7S1T0BW
93 090 тг
Нет в наличии
Габариты и вес
Вес
8 г
Высота
2.38 мм
Длина
80.15 мм
Ширина
22.15 мм
Интерфейс
Интерфейс PCI-E
есть
Общие характеристики:
Назначение: для ноутбука и настольного компьютера
Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
Контроллер: Samsung Phoenix
Характеристики накопителя:
Емкость: 1000 Гб
Поддержка секторов размером 4 Кб: есть
Скорость чтения: 3500 Мб/с
Скорость записи: 3300 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 Кб): 550000 IOPS
Объем буфера: 1024 Мб
Интерфейс:
Интерфейс PCI-E: есть
Механика/Надежность:
Время наработки на отказ: 1500000 ч
Ударостойкость при хранении: 1500 G
Ударостойкость при работе: 1500 G
Шифрование данных: есть
Габариты и вес:
Ширина: 22.15 мм
Высота: 2.38 мм
Длина: 80.15 мм
Вес: 8 г
Назначение: для ноутбука и настольного компьютера
Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
Контроллер: Samsung Phoenix
Характеристики накопителя:
Емкость: 1000 Гб
Поддержка секторов размером 4 Кб: есть
Скорость чтения: 3500 Мб/с
Скорость записи: 3300 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 Кб): 550000 IOPS
Объем буфера: 1024 Мб
Интерфейс:
Интерфейс PCI-E: есть
Механика/Надежность:
Время наработки на отказ: 1500000 ч
Ударостойкость при хранении: 1500 G
Ударостойкость при работе: 1500 G
Шифрование данных: есть
Габариты и вес:
Ширина: 22.15 мм
Высота: 2.38 мм
Длина: 80.15 мм
Вес: 8 г
Габариты и вес | |
Вес | 8 г |
Высота | 2.38 мм |
Длина | 80.15 мм |
Ширина | 22.15 мм |
Интерфейс | |
Интерфейс PCI-E | есть |
Механика/Надежность | |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Ударостойкость при работе | 1500 G |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Шифрование данных | есть |
Общие характеристики | |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
Характеристики накопителя | |
Емкость | 1000 Гб |
Объем буфера | 1024 Мб |
Поддержка секторов размером 4 Кб | есть |
Скорость записи | 3300 Мб/с |
Скорость случайной записи (блоки по 4 Кб) | 550000 IOPS |
Скорость чтения | 3500 Мб/с |
Написать отзыв
Нет отзывов о данном товаре.